貴陽(yáng)宇順氣體有限公司工業(yè)氣體的分類：標(biāo)準(zhǔn)氣體、高純氣體、特種氣體

1.特種氣體：指那些在特定領(lǐng)域中應(yīng)用的,對(duì)氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質(zhì)氣體配制的二元或多元混合氣。特種氣體門類繁多,通常可區(qū)分為電子氣體、標(biāo)準(zhǔn)氣、環(huán)保氣、醫(yī)用氣、焊接氣、殺菌氣等,廣泛用于電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)學(xué)研究及診斷、食品保鮮等領(lǐng)域。

2.標(biāo)準(zhǔn)氣體：標(biāo)準(zhǔn)氣體屬于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是高度均勻的、良好穩(wěn)定和量值準(zhǔn)確的測(cè)定標(biāo)準(zhǔn),它們具有復(fù)現(xiàn)、保存和傳遞量值的基本作用,在物理、化學(xué)、生物與工程測(cè)量領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業(yè),在裝置開車、停車和正常生產(chǎn)過(guò)程中需要幾十種純氣和幾百種多組分標(biāo)準(zhǔn)混合氣,用來(lái)校準(zhǔn)、定標(biāo)生產(chǎn)過(guò)程中使用的在線分析儀器和分析原料及產(chǎn)品質(zhì)量的儀器。標(biāo)準(zhǔn)氣還可用于環(huán)境監(jiān)測(cè),有毒的有機(jī)物測(cè)量,汽車排放氣測(cè)試,天然氣BTU測(cè)量,液化石油氣校正標(biāo)準(zhǔn),超臨界流體工藝等。標(biāo)準(zhǔn)氣視氣體組分?jǐn)?shù)區(qū)分為二元、三元和多元標(biāo)準(zhǔn)氣體;配氣準(zhǔn)度要求以配氣允差和分析允差來(lái)表征;比較通用的有SE2MI配氣允差標(biāo)準(zhǔn),但各公司均有企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。組分的最低濃度為10-6級(jí),組分?jǐn)?shù)可多達(dá)20余種配制方法可采用重量法,然后用色譜分析校核,也可按標(biāo)準(zhǔn)傳遞程序進(jìn)行傳遞。

3.電子氣體：半導(dǎo)體工業(yè)用的氣體統(tǒng)稱電子氣體。按其門類可分為純氣、高純氣和半導(dǎo)體特殊材料氣體三大類。特殊材料氣體主要用于外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體主要用作稀釋氣和運(yùn)載氣。電子氣體是特種氣體的一個(gè)重要分支。電子氣體按純度等級(jí)和使用場(chǎng)合，可分為電子級(jí)、L.S.I(大規(guī)模集成電路)級(jí)、VL.S.I(超大規(guī)模集成電路)級(jí)和UL.S.I(特大規(guī)模集成電路)級(jí)。

4.外延氣體：在仔細(xì)選擇的襯底上采用化學(xué)氣相淀積(CVD)的方法生長(zhǎng)一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4種,即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,淀積氧化硅膜,淀積氮化硅膜,太陽(yáng)電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。

5.蝕刻氣體：蝕刻就是把基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來(lái),這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是,圖形邊緣整齊,線條清晰,圖形變換差小,且對(duì)光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無(wú)損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體,通常多為氟化物氣體,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制精準(zhǔn)、方便、無(wú)脫膠現(xiàn)象、無(wú)基片損傷和沾污,所以其應(yīng)用范圍日益廣泛。

6.摻雜氣體：在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中,將某種或某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi),以使材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率,用來(lái)制造PN結(jié)、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體(如氬氣和氮?dú)?在源柜中混合,混合后氣流連續(xù)流入擴(kuò)散爐內(nèi)環(huán)繞晶片四周,在晶片表面沉積上化合物摻雜劑, 進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。

7.熏蒸氣體：具有殺菌作用的氣體稱熏蒸氣體。常用的氣體品種有環(huán)氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環(huán)氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用,使微生物組織內(nèi)維持生命不可缺少的物質(zhì)惰化。最經(jīng)常使用的是以不同比例配制的環(huán)氧乙烷和二氧化碳的混合氣,根據(jù)用途不同, 環(huán)氧乙烷的含量可以是10%、20%和30%等。也可采用環(huán)氧乙烷和氟利昂12的混合氣,環(huán)氧乙烷與氟利昂11 和氟利昂12 的混合氣等。殺菌效果與各組分濃度、溫度、濕度、時(shí)間和壓力等因素有關(guān)。熏蒸氣體可以用于衛(wèi)生材料、醫(yī)療器具、化妝品原料、動(dòng)物飼料、糧食、紙鈔、香辣等行業(yè)。

8.焊接保護(hù)氣體：氣體保護(hù)焊由于具有焊接質(zhì)量好,效率高,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)而得以迅速發(fā)展。焊接保護(hù)氣體可以是單元?dú)怏w,也有二元、三元混合氣。采用焊接保護(hù)氣的目的在于提高焊縫質(zhì)量,減少焊縫加熱作用帶寬度,避免材質(zhì)氧化。單元?dú)怏w有氬氣、二氧化碳,二元混合氣有氬和氧,氬和二氧化碳,氬和氦,氬和氫混合氣。三元混合氣有氦、氬、二氧化碳混合氣。應(yīng)用中視焊材不同選擇不同配比的焊接混合氣。

9.離子注入氣：離子注入是把離子化的雜質(zhì),例如P+、B+、As+加速到高能量狀態(tài),然后注入到預(yù)定的襯底上。離子注入技術(shù)在控制Vth(閾值電壓)方面應(yīng)用得最為廣泛。注入的雜質(zhì)量可通過(guò)測(cè)量離子束電流而求得。離子注入工藝所用氣體稱離子注入氣,有磷系、硼系和砷系氣體。

10.非液化氣體：壓縮氣體依據(jù)于一定壓力和溫度下在氣瓶中的物理狀態(tài)和沸點(diǎn)范圍可以區(qū)分為兩大類,即液化氣體和非液化氣體。非液化氣體系指除溶解在溶液中的氣體之外,在2111℃和罐裝壓力下完全是氣態(tài)的氣體。也可定義為在正常地面溫度和13789～17237kPa壓力下不液化的氣體。

11.液化氣體：在2111℃和罐裝壓力下部分液化的氣體。或定義為在正常溫度和172142～17237kPa壓力下在氣瓶中液化的氣體。壓縮氣體是指在2111℃下,在氣瓶中一定壓力超過(guò)27518kPa的任何氣體或混合物;或與2111℃下的壓力無(wú)關(guān), 于5414℃下一定壓力超過(guò)717kPa的任何氣體或混合物;或于3718 ℃下氣體一定壓力超27518kPa的任何液體。

12.稀有氣體：元素周期表最后一族的六種惰性氣體中的任何一種氣體,即氦、氖、氬、氪、氙、氡。前五種氣體均可以空氣分離方法從空氣中提取。

13.低壓液化氣體：臨界溫度大于70℃的氣體。區(qū)分為不燃無(wú)毒和不燃有毒、酸性腐蝕性氣體;可燃無(wú)毒和可燃有毒、酸性腐蝕性氣體;易分解或聚合的可燃?xì)怏w。此類氣體在充裝時(shí)以及在允許的工作溫度下貯運(yùn)和使用過(guò)程中均為液態(tài)。包括的氣體品種有一氟二氮甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟環(huán)丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光氣、氯化氫、溴化氫、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液壓石油氣、丙烷、環(huán)丙烷、丙烯、正丁烷、異丁烷、1-丁烯、異丁烯、順-2-丁烯、反-2-丁烯、R142b、R143b、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氫、氯甲烷、溴甲烷、氯乙烯、環(huán)氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。

14.高壓液化氣體：臨界溫度大于或等于-10℃且小于或等于70℃的氣體。區(qū)分為不燃無(wú)毒和不燃有毒氣體;可燃無(wú)毒和自燃有毒氣體;易分解或聚合的可燃?xì)怏w。此類氣體充裝時(shí)為液態(tài),但在允許的工作溫度下貯運(yùn)和使用過(guò)程中其蒸汽壓隨溫度的升高而升高,超過(guò)臨界溫度時(shí)蒸發(fā)為氣體。所包括的氣體品種有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氫、乙烷、乙烯、1,1-二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。